东京工业大学、京都大学和日立公司之前曾研发过一种在盘片基板表面设置高分子材料容易聚集的化学标记技术，通过设置整齐的化学标记点阵，形成整齐的存储介质分子排列。而在NEDO加入后，对此技术进行了进一步改进，通过将标记点阵进一步微型化，使用形成周期10nm级的“有机无机混合高分子聚合物”，再加上点阵间插入新标记点的“图形密度高倍化技术”，实现了存储密度的突破。在之前的技术中，使用电子线直接描画(EB)法，可形成周期24nm左右的标记点阵，而新技术则在中间再插入一个标记点，现已制成100平方微米范围内周期12nm间隔的规则标记点阵。而附着其上的高分子聚合物在加入硅原子后，解决了构造不稳定的问题，实现了10nm级的超微细点阵构造。
在这些技术的基础上，新技术相比原有方案的存储密度提升了4倍，达到每平方英寸3.9Tb。而相比目前量产硬盘500Gb/in2左右的密度，新技术存储密度提升达到8倍。未来如果此技术投入商用，3.5寸硬盘容量有望突破10TB，迈向20TB大关。研发团队表示，该技术的更多细节将于本月底在美国举行的材料研究学会2010秋季会议上发表。
